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Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für EnterpriseArtikel Lesen

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Samsungs aktueller 14nm-Prozess bringt noch nie da gewesene Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Leistungseffizienz SEOUL, Korea, 14. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd., ein weltweit führender Anbieter von innovativer Halbleitertechnologie, hat mit der Massenproduktion weiterentwickelter Logikchips in seinem LPP-Prozess (Low-Power Plus) mit Strukturen von 14nm begonnen. Der LPP-Prozess ist die zweite Generation der 14nm FinFET-Prozesstechnologie des Unternehmens. Führend in derArtikel Lesen

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Neue DRAM-Lösung von Samsung signalisiert den Kurs von TSV-Technologie in Richtung Mainstream-Applikationen mit High-Capacity Memory SEOUL, Korea, 26. November 2015 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat mit der Massenproduktion der industrieweit ersten DDR4-Memorys (Double Data Rate-4) mit „Through Silicon Vias“ (TSV) in Modulen mit 128Gigabyte (GB) begonnen. Die neuen Halbleiterspeicher sind für den Einsatz in Enterprise Servern und Rechenzentren gedacht.Artikel Lesen