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Die Nanya Technology Corporation und die Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH haben eine europaweite Franchisevereinbarung geschlossen. Sie umfasst das gesamte Nanya Produktportfolio an SDRAM Speichern. Nanya entwickelt, produziert und vertreibt Standard sowie Mobile SDRAM Speicher. Mit 30nm und 42nm Technologie adressiert der taiwanesische Hersteller gezielt den Automotive- und Industriemarkt. Die fortschrittliche 30nm Technologie bietet Kunden Kosten- und Leistungsvorteile. Für Automobil-Applikationen bietetArtikel Lesen

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Samsung Electronics Co. Ltd., Marktführer bei fortschrittlicher Speichertechnologie, kündigte heute den Start der Massenproduktion der industrieweit ersten 10-nanometer (nm) Class* DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM-Chips mit 8-gigabit (Gb) und daraus abgeleiteten Modulen an. DDR4 DRAM entwickelt sich weltweit schnell zu dem am häufigsten produzierten Memory für PCs und IT-Netzwerke und Samsungs neueste Fortschritte werden helfen, den branchenweiten Übergang zu innovativen DDR4-Produkten zuArtikel Lesen

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Erstes 4-Gigabyte HBM2 DRAM erzielt sieben Mal höhere Datenübertragungsgeschwindigkeit als bisher schnellstes DRAM SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 – Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für EnterpriseArtikel Lesen

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Neue und zuverlässige SSDs für Industrie, Automotive und Telekommunikation Die neue X-60 SSD Serie von Swissbit: beeindruckende Geschwindigkeit und höchste Zuverlässigkeit Bronschhofen, Schweiz – September 2014 – Erstmalig präsentiert die Swissbit AG auf der electronica (Halle A6, Stand 319) ihre neue X-60 SSD Serie der SATA III Generation. Dank modernster Firmware und Hardware-Technologie kombinieren sie eine beeindruckende Geschwindigkeit von bisArtikel Lesen